产品特点:
1. 除上述外,亦可提供MoSe2、ReS2、VSe2、TiSe2、TaSe2、SnSe2及TiS2)等。
2. 可通过微纳加工获得性能优异的场效应晶体管。
3. 单层N型MoS2 FET开关比达到108,迁移率100 cm2V-1s-1,适用于低功耗器件。
4. WS2/MoS2异质结在532nm波段光电转换效率达到32%。