产品特点： 

1. 除上述外，亦可提供MoSe2、ReS2、VSe2、TiSe2、TaSe2、SnSe2及TiS2）等。

2. 可通过微纳加工获得性能优异的场效应晶体管。

3. 单层N型MoS2 FET开关比达到108，迁移率100 cm2V-1s-1，适用于低功耗器件。

4. WS2/MoS2异质结在532nm波段光电转换效率达到32%。